10月DRAM和NAND闪存价格开始反弹 这下真要涨价了

　　【手机中国新闻】11月3日，手机中国注意到，存储行业减产效应正式显现，DRAM和NAND闪存的固定交易价格分别在过去两年中和过去三个月中首次出现反弹。据统计，截至10月31日，DRAM PC通用产品DDR4 8千兆位1G*8 2133MHz的平均固定交易价格为1.50美元，环比增长15.38%。截至同日，用于NAND存储卡/USB的128Gb 16G*8多层单元 (MLC) 通用产品的平均固定交易价格为3.88美元，环比上涨1.59%。

　　此前，由于存储新品行业产量远远大于需求量，终端市场上的存储产品价格出现了大幅度下降。虽然对于消费者而言，200块钱可以买到1TB的PCIe 3.0 TLC颗粒固态硬盘确实是一件好事，但是对于各大存储芯片厂商而言，过低的价格严重影响了它们的营收和利润。例如，海力士在最新的一份财报中就交出了亏损的成绩。

　　目前，随着三星、海力士等厂商的减产，存储芯片的价格正在稳步回升。11月2日，《台湾经济日报》报道称，半导体业内多位消息人士消息称，三星本季度将NAND Flash芯片报价调涨10%至20%之后，已决定明年一季度与二季度逐季调涨报价20%，此举远超业界预期。

 区间分析：上期三区比为2:2:1，前3区上期走冷。本期看好前区第1、2区号码热出，参考区间比2:2:1。

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前区一区分析：该区上期开出2个奖号 ，最近10期该区断区1次，出现18个奖号，走势较稳；本期注意一区号码较上期走势上升，开出4个奖号，关注前区奖号02 03 08 12。

当期前区号码大小比为2:3，奇偶比为4:1，质合比为3:2，五区比为1:1:1:2:0，无重号，无连号。

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